CR6212BTM+CR3004SLD 12V2A 无Y
芯片描述
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CR6212BTM芯片特性:

●  CR6212BTM内置650V高压功率MOSFET的反激式原边检测,支持CC\CV原边检测 PWM 功率开关,DIP7封装

●  内置软启动,减少MOSFET的应力

●  低功耗、高能效频率反走QR模式控制,内置斜坡补偿电路

●  具有良好的 EMI 特性,可编程输入欠压或过压保护

●  具有“软启动、OCPSCPOTPOVP、引脚悬空等多种保护


●  原边反馈,无需光耦和TL431,内置电感量偏差补偿功能

●  电路结构简单、较少的外围元器件,适用于小功率AC/DC电源适配器、充电器

CR3004SLD芯片特性:

●  自供电DCM同步整流开关、SOP8封装、内置60V耐压功率开关管、精简的外围电路、较低的工作电流和较高的系统效率满足高能效要求

实物图
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整机参数
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类型
符号
最小值
典型值
最大值
单位
测试条件
待机功耗
PNL


78
mW
Vin=AC 264V
低压效率
η


88.10
%
AC 115V平均效率
高压效率
η


88.30
%
AC 230V平均效率
线性调整率
Δvline


2
%
线端
负载调整率
Δvload


2
%
线端
启动时间
Tst


2.37
s
100VAC满载


保护功能测试
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类型
实现方式
恢复条件
过流保护
CS端检测
负载正常后自动恢复
短路保护
FB端检测
负载正常后自动恢复
过压保护
VDD端检测
负载正常后自动恢复
AC欠压BO保护FB端检测输入电压正常后自动恢复
温保护
150°C自动保护
温度下降后自动恢复