CR5149TJ

拓扑结构 : 副边
最大功率 : ≤18W
内置类型 : MOS
功率管 : 内置
功率管耐压 : 650V
待机功耗 : <75mW
封装 : DIP-8L
产品详情

主要特点


  • 较低的启动电流 (大约3μA)

  • 全电压范围待机低于75mW

  • 满足六级能效标准

  • 内置软启动减少MOSFET应力

  • 内建同步斜坡补偿,消除次谐波振荡

  • 内建频率抖动功能,降低EMI

  • 内置65kHz开关频率

  • 轻载降低工作频率

  • VDD宽工作范围

  • VDD过压保护功能

  • 内置前沿消隐电路

  • 逐周期过流保护

  • 内置过温保护

  • 过载保护

  • DIP-8L绿色封装

基本应用


  • 电源适配器

  • 机顶盒电源

  • 充电器

  • 存储设备电源

典型应用图

CR5149TJ.png